新技术可能战胜 ‘内存瓶颈’ 与平原老硅

圣杯之间工程是计算机的称为非易失性通用存储器概念/技术。信守诺言是什么小于批发更换不同的记忆体技术,目前计算取决于每一个人的 ︰ DRAM、 SRAM、 SSD、 硬盘等。代替他们会填充所有计算机的内存需求的单一统一的技术 — — 那就是,它将是超快、 无穷小,和非易失性,例如它将能够保留数据即使在关机的情况下,像一个硬碟或 SSD,但随着 RAM 速度。

这是更多比物质方便。计算机变得越来越快,功能更强大,他们正日益受到所谓的”内存瓶颈”。简单地说,计算机在处理数据速度比硬件体系结构可以提供这些数据。这只会成为更多的问题。

从莫斯科物理研究所和技术、 内布拉斯加大学、 瑞士洛桑大学的材料科学家有一个新的解决方案中的纳米级多晶铁电薄膜形式。虽然超薄铁电材料几乎通用存储器的新靶点,新的计划,所述杂志 ACS 应用材料与界面,添加硅集成高度可取的特点。也就是说,它理论上是可能制备铁电薄膜在现有半导体制造设施 (与一些修改)。

新技术可能战胜 '内存瓶颈' 与平原老硅

图像 ︰ 津克维奇 et al

铁电存储器的想法很简单。它是大致类似于发生在现有的 DRAM 内存,数据存储在各自的存储单元由一个电容和晶体管组成。在 DRAM 单元格中,在电容器内的电荷的存在与否表示信息的二进制的位。这些位是读取和写入通过晶体管,这无论是添加到充电 / 排水渠从电容器的电荷。

与 DRAM 抓是电容器将泄漏电荷随着时间的推移。这就需要一个 DRAM 内存单位连续刷新 — — 离开它关机的情况下,和最终的 DRAM 单元格将失去其信息内容。

薄膜的铁电存储器 DRAM 的电容替换基于磁极的变化。而不是收费或不收费,我们有磁化向上或向下。不只翻转极性并需要更少的能源,两极分化不需要标准的 DRAM 内存的不断刷新。

当前文件背后团队设法得到其铁电材料到薄 2.5 毫微米,约十分之一大小的最小的病毒。这一基本概念被称为铁电隧道结。它包括与电影本身的共同努力,改变膜的极化或 ultratiny 细胞微粒的膜电极之间的两个微小电极之间夹着。然后从电影读取信息通过探测的单元格,会随其极性的电阻。

你有它 ︰ 信息存储和检索在原子尺度。

在这里,铁电薄膜”已经”在通过这个过程被称为原子层沉积,这听起来像是硅衬底上。使用确认它确实具有所需的铁电性能,例如是稳定和可切换的几个技术测试结果 2.5 毫微米材料 (铪氧化)。”到最好的我们的知识,到目前为止没有铁的行为被举报稀释剂 [一氧化铪]-基薄膜,”研究者在研究中的。

工作,以显示所谓隧道 electroresistance 效应在原型内存设备现在正在,”这项研究的主要作者,Andrei 津克维奇时报 EE。”从脉冲测量的极化反转,前瞻性的写入时间是在纳秒级范围内。读信息发生非破坏性测量 (隧道) 电流通过交界处和访问时间应主要取决于电子线路”。

不要离去,还甩了你的 SSD。甚至只确认所有这一切都将年。仍然,似乎不够清楚内存问题有一个解决办法 — — 如果不是这比任何数量的此时此刻正在争取纳米非易失性存储器的替代途径之一。

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